第八百七十九章 S级项目！（2/2）

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虽然说三种成像方式各有差别，形成的图像也会有着差别，但能量和衬度会差距这么大的，很罕见。

徐川笑了笑，道：“没什么不可能的，如果说这些碳纳米管道与底层衬底形成了掺杂，产生了类似于集成芯片中半导体门的结构，这些差异是可以说得通的。”

闻言，赵光贵一脸惊诧的看了过来，忍不住询问道：“您是说这些试样表面若存在电位分布的差异，比如类似半导体的 P-N结、加偏压的集成电路等机构，其局部电位的差异影响到了二次电子的轨迹和强度。”

徐川点了点头，道：“嗯，目前来说这个猜测最有可能解释这种能量与衬度差距。”

“嘶~”

赵光贵倒吸了口凉气，惊讶的说道：“如果是这样，这极有可能是一块天然的碳纳米管集成板？”

盯着手中的实验数据报告文件，徐川思忖着开口道：“不否认这种可能性，不过它是天然碳纳米管集成电路板的可能性在我看来还是很低的。”

“嗯？”

闻言，赵光贵和实验室中的其他两名研究员都投来了诧异疑惑的目光。

按照HAADF成像上的数据来看，这是非常明显的电位衬度差距，而一般来说这种差异通常只会出现在半导体上。

因为半导体具有局部电位差，在正电位区域，二次电子好像被拉住不易逸出，因此在这些区域，二次电子产额较少，图像上显得较暗；

相反，在负电位区域，二次电子易被推出，产额较高，在图像上显得较亮，这就是电位衬度。

一般来说，剖析其他国家的半导体设备，比如芯片，就是通过电位衬度来研究的。

（这是一枚芯片电镜结构图，可以清楚的看到里面的区别）

看着手中的实验报告，徐川思忖了一下，开口解释道：“虽然说从扫描图像上来看，在施加偏压的时候在一定程度上具备了半导体性质衬底。”

“但它和碳基集成管的差距还是很大的，站在材料学的角度上来推测，我个人更倾向于它是受到外力的影响，而掺杂了一些其他的材料，导致出现了电阻差异。”

“看第三张图，就可以明显的发现第三列的碳纳米管出现了不同的分子亮度。”

微微顿了顿，他接着道：“不过这个方向可以研究一下，看看它被掺杂元素是什么，借鉴一下还是很不错的。”

赵光贵的眼眸动了动，盯着手里的实验数据开口道：“你是说碳半导体的掺杂研究？”

徐川点了点头，嘴角带着笑意道：“嗯，碳和硅性质虽然类似但还是有很大的区别的。”