第八百八十八章 半成品碳基芯片（2/2）

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前者利用金属、氧化物和半导体的结构，通过栅极电压的变化来控制半导体表面的电子积累或耗尽，从而控制源极和漏极之间的电流。

而后者则是通过改变外部电压来控制半导体内部电场，进而控制导电沟道宽窄的半导体器件。

这两种晶体管是现代电子设备中不可或缺的元件，对于实现电路的各种功能起着至关重要的作用。

更通俗更简单一点的来说，能够大规模的集成这两种晶体管器件，那么就能够实现芯片的大部分功能。

虽然说现阶段他们所做出来的碳基芯片还相当的粗早。

不仅仅集成上去的MOSFET晶体管和JFET效应管良品率还不到百分之八十，甚至各种电路图之类的设计也都是直接套硅基芯片的。

但没平方毫米超过七十万枚基础碳晶体管的芯片，已经足够在上面规划出不少的计算电路，实现不少的功能了。

......

对碳基芯片进行检测的另一间实验室中，雷君第一次看到了那枚‘碳基芯片’。

漆黑如墨的小小芯片不过成年男子拇指的指甲盖大小，放置在透明的玻璃器皿内看起来也平平无奇。

但就是这样一枚小小的芯片，却如同黑洞能够吸引所有的物质一般，夺走了所有人的目光。

一手一个拾起玻璃器皿，赵光贵脸上带着自豪的神色开口介绍道：“这一块是我们昨天才做出来的最新碳化硅衬底集成碳纳米管芯片。”

“其面积是1.5平方厘米，最密集的区域每平方毫米的面积集成了900万颗碳纳米管，总计集成了7.5亿碳纳米管。”

微微停顿了一下，他举起左手上的另一份玻璃器皿，里面则是一块看起来面积更大一些的黑色芯片。

“而这一块则是我们最新制备出来的半成品碳基芯片，通过先进的技术，我们在上面集成了总计六百三十五万枚碳基晶体管。”

“其中‘MOSFET金属-氧化物半导体场效应晶体管’和‘JFET结型场效应管’分别是的三百七十万和二百三十万，此外还有数十万其他功能的晶体管。”

“毫不夸张的说，它已经具备了大部分硅基芯片的功能。”

“当然，碳基晶体管的数量和碳纳米管集成数有差距的原因在于这块半成品芯片使用的衬底基材本身碳纳米管数量只有千万级。”

“如果是使用我手上这块最新碳基衬底，其碳基晶体管的集成数量能达到亿级！”

“再给我们一段时间，我们能将碳基晶体管的数量集成到至少每平方毫米一千万颗以上”