第476章 提前几十年开始布局（1/2）

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在研究所一直呆到了傍晚，晚上周宏邀请了李秀成和胡英梅去家里吃饭。

两个儿子都在外地上班，家里就老两口。

老太太很好客，尤其是知道李秀成是周宏的老板更是热情无比，拿出看家的本事整了满满当当的一桌子菜。

到餐末时，李秀成说道：“明天我就不去研究所了，我和胡会计到北京玩两天然后就直接飞兴蓉。

研究所这边还得要周教授您多费心，把好关。”

周宏一拍胸口，严肃道：“放心吧李总，只要我这把老骨头还立得起来，就不会让研究停下来。”

“嗯。我相信周教授！”李秀成微笑着点头，他对老前辈的道德品格是相当信任的，不过也是时候谈一谈光刻机的发展线路问题了。

现在研究的是老旧的干式微影光刻机，但未来是浸入式光刻机的天下，要怎么才能让老前辈接受这个观点呢？

这就要好好琢磨琢磨下了。

吃完饭，胡英梅帮着老太太去收拾碗筷。两人坐回到沙发上喝茶解腻。

李秀成斟酌着说道：“我有一个问题想要请教周教授。”

“光刻机的？有什么问题你尽管问。”周宏就是欣赏李秀成这一点，有什么不懂的也不憋着。同样，知道自己不懂，也不乱指挥人。

这样大方明理又能放权的老板，可比以前那些外行指挥内行的领导要强太多了。

“我知道光刻机的涂胶原理其实跟相机胶片暴光差不多，最近我也一直在恶补这方面的知识。

我知道像光刻机的生产效率、良率以及最小分辨率均在不断发展。

而光刻机的最小分辨率由一个公式 R=kλ/NA控制。

其中R代表可分辨的最小尺寸也就是我们追求的精度，那么肯定就是R越小越好，k是工艺常数代表我们的工艺技术,λ.....λ...。

λ是什么来着？”

说到这里，李秀成像是卡了壳，挠着腮帮子说道。

周宏一脸好为人师的表情笑道：“λ是光刻机所用光源的波长，我们现在研究的就是G线光刻机，波长346NM。

NA代表物镜数值孔径这个东西也就是关键的暴光系统。

这也是最难的东西，我们现在造的都是落后别人十年的参数产品。

反正，光刻机制程工艺水平的发展是一直遵循你说这个公式的。

现在米国的最新型光刻机已经可以生产800NM制程的芯片，我们却还在1200nm徘徊，还差得远啰！”

说到最后，周宏反而一脸失落，也没了开始的兴致。

“哦，真复杂！”李秀成做出一脸我很懵的表情，然后话锋一转道：“但我大致抓到了两个重点，光源、物镜折射率！

想要提升芯片的生产效率和良率，是必须要同时发展光刻机的内部构造和工作模式。

那么我们可以从整体因素考虑，为什么不换一种光源，然后再换一种折射介质？”

“嗯？”周宏回过神来，有些奇怪的说道：“现在光线就G线和I线两种，波长在三百多到四百左右，确实比较大，而且国际上的公同认知是在193nm缩短到157nm制程时会出现瓶颈。

但折射介质是什么说法？”

见周宏来了兴趣，李秀成嘴角微勾然后迅速恢复原状。

这也就是现在的干式微影光刻机和浸没式光刻机的最大区别了！

他故意做出一脸不确定的说道：“光线我觉得可以多做试验，把什么XYZ射线啊，紫外线，极光都试试，总能找到最合适的。

至于折射率嘛，现在的光刻机光波是在空气中传播，然后照射暴光。