第476章 提前几十年开始布局(1/2)

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在研究所一直呆到了傍晚,晚上周宏邀请了李秀成和胡英梅去家里吃饭。

两个儿子都在外地上班,家里就老两口。

老太太很好客,尤其是知道李秀成是周宏的老板更是热情无比,拿出看家的本事整了满满当当的一桌子菜。

到餐末时,李秀成说道:“明天我就不去研究所了,我和胡会计到北京玩两天然后就直接飞兴蓉。

研究所这边还得要周教授您多费心,把好关。”

周宏一拍胸口,严肃道:“放心吧李总,只要我这把老骨头还立得起来,就不会让研究停下来。”

“嗯。我相信周教授!”李秀成微笑着点头,他对老前辈的道德品格是相当信任的,不过也是时候谈一谈光刻机的发展线路问题了。

现在研究的是老旧的干式微影光刻机,但未来是浸入式光刻机的天下,要怎么才能让老前辈接受这个观点呢?

这就要好好琢磨琢磨下了。

吃完饭,胡英梅帮着老太太去收拾碗筷。两人坐回到沙发上喝茶解腻。

李秀成斟酌着说道:“我有一个问题想要请教周教授。”

“光刻机的?有什么问题你尽管问。”周宏就是欣赏李秀成这一点,有什么不懂的也不憋着。同样,知道自己不懂,也不乱指挥人。

这样大方明理又能放权的老板,可比以前那些外行指挥内行的领导要强太多了。

“我知道光刻机的涂胶原理其实跟相机胶片暴光差不多,最近我也一直在恶补这方面的知识。

我知道像光刻机的生产效率、良率以及最小分辨率均在不断发展。

而光刻机的最小分辨率由一个公式 R=kλ/NA控制。

其中R代表可分辨的最小尺寸也就是我们追求的精度,那么肯定就是R越小越好,k是工艺常数代表我们的工艺技术,λ.....λ...。

λ是什么来着?”

说到这里,李秀成像是卡了壳,挠着腮帮子说道。

周宏一脸好为人师的表情笑道:“λ是光刻机所用光源的波长,我们现在研究的就是G线光刻机,波长346NM。

NA代表物镜数值孔径这个东西也就是关键的暴光系统。

这也是最难的东西,我们现在造的都是落后别人十年的参数产品。

反正,光刻机制程工艺水平的发展是一直遵循你说这个公式的。

现在米国的最新型光刻机已经可以生产800NM制程的芯片,我们却还在1200nm徘徊,还差得远啰!”

说到最后,周宏反而一脸失落,也没了开始的兴致。

“哦,真复杂!”李秀成做出一脸我很懵的表情,然后话锋一转道:“但我大致抓到了两个重点,光源、物镜折射率!

想要提升芯片的生产效率和良率,是必须要同时发展光刻机的内部构造和工作模式。

那么我们可以从整体因素考虑,为什么不换一种光源,然后再换一种折射介质?”

“嗯?”周宏回过神来,有些奇怪的说道:“现在光线就G线和I线两种,波长在三百多到四百左右,确实比较大,而且国际上的公同认知是在193nm缩短到157nm制程时会出现瓶颈。

但折射介质是什么说法?”

见周宏来了兴趣,李秀成嘴角微勾然后迅速恢复原状。

这也就是现在的干式微影光刻机和浸没式光刻机的最大区别了!

他故意做出一脸不确定的说道:“光线我觉得可以多做试验,把什么XYZ射线啊,紫外线,极光都试试,总能找到最合适的。

至于折射率嘛,现在的光刻机光波是在空气中传播,然后照射暴光。

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